12月15日消息，台积IEDM 2024大会上，电首台积电首次披露了N2 2nm工艺的升％关键技术细节和性能指标：对比3nm，晶体管密度增加15％，功耗同等功耗下性能提升15％，降低同等性能下功耗降低24-35％。台积

台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，电首有助于调整通道宽度，升％平衡性能与能效。功耗

新工艺还增加了NanoFlex DTCO(设计技术联合优化)，降低可以开发面积最小化、台积能效增强的电首更矮单元，或者性能最大化的升％更高单元。

此外还有第三代偶极子集成，功耗包括N型、降低P型，从而支持六个电压阈值档(6-Vt)，范围200mV。

通过种种改进，N型、P型纳米片晶体管的I/CV速度分别提升了70％、110％。

对比传统的FinFET晶体管，新工艺的纳米片晶体管可以在0.5-0.6V的低电压下，获得显著的能效提升，可以将频率提升大约20％，待机功耗降低大约75％。

SRAM密度也达到了创纪录的新高，每平方毫米约38Mb。

此外，台积电2nm还应用了全新的MOL中段工艺、BEOL后段工艺，电阻降低20％，能效更高。

值得一提的是，第一层金属层(M1)现在只需一步蚀刻(1P1E)、一次EVU曝光即可完成，大大降低了复杂度、光罩数量。

针对高性能计算应用，台积电2nm还引入了超高性能的SHP-MiM电容，容量大约每平方毫米200fF，可以获得更高的运行频率。

按照台积电的说法，28nm工艺以来，历经六代工艺改进，单位面积的能效比已经提升了超过140倍！

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